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2022-11-09??作品聲明:內(nèi)容由AI生成
# DC無刷#電機(jī)# #電源#
@笑話攻城獅電子科技喜歡,請關(guān)注。原標(biāo)題開始。轉(zhuǎn)載請聯(lián)系作者。抄襲侵權(quán)必究。
作者簡介:開玩笑圍攻獅電子專業(yè),15年R&D工作經(jīng)驗(yàn),設(shè)計(jì)技術(shù)。文章簡潔,一篇文章解決一個R&D設(shè)計(jì)問題,實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn),快速解決產(chǎn)品設(shè)計(jì)中遇到的問題,為您創(chuàng)造價(jià)值!
(1)設(shè)計(jì)線路圖、PCB layout圖:
300W三相DC無刷電機(jī)驅(qū)動電路圖
300W DC無刷電機(jī)驅(qū)動PCB前部
300W DC無刷電機(jī)驅(qū)動PCB底面
(2)樣機(jī)調(diào)試問題點(diǎn):
PTC驅(qū)動IC,載波16KHz,電流800mA,感性負(fù)載,開關(guān)有明顯超調(diào)時(shí)會對控制部分造成很大干擾。負(fù)載不大,短路電流小于3A(工作電流1A)。Rg電阻調(diào)節(jié)在100V時(shí),沒有過沖,上下只有250mV,沒有過沖干擾。如果電壓繼續(xù)上升,就會出現(xiàn)過沖,進(jìn)而干擾電源電壓爆機(jī)。司機(jī)直接炸了,MOS G-S壞了,沒炸。
(3)解決方案:
原本設(shè)計(jì)的MOS TO-252封裝了6個650V 360mR Max,F(xiàn)RD Trr:330nS換成了650V 380mR Max和FRD Trr:115nS,完美解決了問題。
(4)電機(jī)驅(qū)動MOS選擇注意事項(xiàng):
為了方便采購、助理、銷售和技術(shù)初學(xué)者,一個名詞解釋:FRD MOS體二極管恢復(fù)快,反向恢復(fù)時(shí)間為Trr nS。原則上,值越小越好。
高壓電機(jī)應(yīng)用MOS選擇:
導(dǎo)通電阻Rds相同、封裝平面相同的高壓VDMOS比超級結(jié)MOS更耐折騰和沖擊。重要的事情說三遍:帶FRD、帶FRD、帶FRD。
(IGBT方案對電機(jī)功率相對較高的驅(qū)動也有用,與本文無關(guān)。很幸運(yùn)看到這篇文章,學(xué)到的都是自己的。我想我當(dāng)初是不得不偷的)。
低壓電機(jī)應(yīng)用MOS選擇:
具有相同導(dǎo)通電阻Rds和相同封裝的溝槽工藝比SGT工藝MOS更耐折騰和沖擊。
重要的事情說三遍:MOS工藝與帶FRD、MOS工藝與帶FRD、MOS工藝與帶FRD。